стройматериалы оптом и в розницу

Действие оснований

Дальнейшее повышение концентрации раствора лишь незначительно увеличивает его разрушающее действие. Насыщенный раствор Са (ОН)₂ вызывает лишь сравнительно небольшое снижение угла смачивания (13—19°). Менее всего разрушаются в растворах щелочей полнорганосилоксановые пленки, содержащие радикалы СН₃, значительно меньшей устойчивостью обладают пленки на основе C₂H₅SiCl₃. Как и в растворах кислот, пленки на основе (C_;H5SiHO)“ показали более высокую стойкость по сравнению с пленками на основе C₂H₅SiCI₃. В случае воздействия Са (ОН)₂ наряду с процессами деградации возможна реакция

При этом образуется нерастворимый в воде кальцийполисилоксан, затрудяющнй диффузионные процессы.

Результаты изучения углов смачивания хорошо согласуются с данными по измерению водопоглощення образцов после обработки в растворах щелочей.

Под воздействием концентрированных растворов NaOH происходят более глубокие процессы деградации, вследствие которых разрушается не только водоотталкивающая пленка, но и частично пористый материал подложки, в результате чего водопоглощение в отдельных случаях стало больше контрольного (т. е. водопоглощение исходных необработанных плиток). В среде, насыщенной Са (ОН)₂. все водоотталкивающие пленки оказались стойкими.

Наилучшие результаты показали пленки на основе CH₃SiCl₃ и (C₂H₅SiHO)“. На спектрах образцов, подвергшихся действию 50% NaOH, соответствующие полосы поглощения, характеризующие связи Si—R, полностью исчезают,— очевидно, происходит практически полное разрушение органической части органосилоксанового слоя. На кривых ДТА образцов, подвергшихся воздействию 50% раствора NaOH, обнаружены очень слабые экзопикн, связанные с разрушением оставшихся органических радикалов, количество которых незначительно, так как не зафиксировано спектральным анализом.

Действие NaOH приводит к снижению потери веса пленки при нагревании. Это, по-видимому, связано с тем, что воздействие NaOH приводит к отщеплению большой части органических радикалов, конденсации снлановых групп и их превращению в группы SiONa, вследствие чего нагревание полиорганосилоксановой пленки способствует падению ее веса.

Проведено количественное исследование стойкости гидрофобных пленок на основе (C2H₅SiHO)» в растворах щелочей при помощи инфракрасной спектроскопии. Показано, что даже весьма слабые растворы NaOH приводят к значительной деградации гидрофобного полнорганосилоксанового слоя. При концентрации 5% водоотталкивающая пленка полностью разрушается. Вместе с тем насыщенный раствор Са (ОН)₂ приводит лишь к сравнительно небольшому снижению концентрации групп Si—С₂Н₃ в поверхностном слое. При этом степень разрушения связей Si—R составляет всего 16,5%.

Действие растворов солей. Результаты изучения влияния растворов солей на водоотталкивающие пленки на основе кремнийорганнческих гпдрофобизаторов приведены в табл. 29. Как видно, из испытанных растворов солей наименее агрессивным является 10% раствор ХаС1 (Дв= 18—21°), а наиболее агрессивным—10% раствор КМп0₄ (Д6=26—38°). Менее всего разрушаются в растворах неорганических солей пленки на основе метильной группы, а этильные радикалы оказались менее устойчивыми.

Сравнительно высокой химической стойкостью обладают полиалкилсилоксаны. Пленки на основе (C₂H₅SiHO) показали повышенную стойкость в агрессивных средах, что указывает на большое значение наряду с составом структуры и толщины пленок.

Действие органических растворителей. Как было показано, частичная или полная деструкция кремнийорганнческих водоотталкивающих пленок под воздействием растворов кислот, щелочей и некоторых минеральных солей происходит главным образом путем разрыва связи Si—R. В случае воздействия на эти пленки органических растворителей и воды снижение гидрофобное™ может произойти или за счет растворения пленки (органические растворители), или за счет переориентации полисилоксановых макромолекул в поверхностном слое с преимущественным обращением к полимерной среде более гидрофильных частей (вода). Возможен также механический отрыв фрагментов макромолекул и переход их с поверхности в жидкую среду.